Numărul de produs al producătorului:
CDMSJ22013.8-650 SL
Product Overview
Producător:
Central Semiconductor Corp
DiGi Electronics Cod de parte:
CDMSJ22013.8-650 SL-DG
Descriere:
SUPER JUNCTION MOSFETS
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 35.7W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventar:
500 Piese Noi Originale În Stoc
13243521
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
CDMSJ22013.8-650 SL Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Central Semiconductor
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Max)
30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1040 pF @ 400 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
35.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220FP
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Informații suplimentare
Alte nume
1514-CDMSJ22013.8-650SL
CDMSJ22013.8-650 SL PBFREE
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
CDMSJ22010-650 SL
SUPER JUNCTION MOSFETS
ISZ113N10NM5LF2ATMA1
ISZ113N10NM5LF2ATMA1 MOSFET
ISC025N08NM5LF2ATMA1
OPTIMOSTM5LINEARFET80V
